Taiwan Semiconductor BZT52C75S R9G
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BZT52C75S R9G
2436-BZT52C75S R9G
无类别的
10-SMD Module
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Zener Diodes 200mW, 5%, Small Signal Zener Diode
1最小包装量--
BZT52C75S R9G详情
Taiwan Semiconductor BZT52C75S R9G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
10-SMD Module
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
-
Standard Number
-
Product Status
活跃
厂商
中央技术
Voltage-Output 1
12V
Package
Bulk
Ir - Reverse Current
0.045 uA
Zz - Zener Impedance
255 Ohms
Ir - Maximum Reverse Leakage Current
0.045 uA
Pd - Power Dissipation
200 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
0.000353 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10000
Mounting Styles
SMD/SMT
Part # Aliases
BZT52C75S
Manufacturer
台湾半导体
Brand
台湾半导体
If - Forward Current
10 mA
Vz - Zener Voltage
75 V
RoHS
Details
Moisture Sensitivity Levels
1
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZT52C75SR9G
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Risk Rank
5.64
系列
CTDD1507M-D
操作温度
-40°C ~ 85°C
包装
切割胶带
尺寸/尺寸
0.60 L x 0.30 W x 0.25 H (15.2mm x 7.5mm x 6.3mm)
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
隔离模块
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
应用
ITE (Commercial)
功率(瓦特)
1 W
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
输出的数量
2
审批机构
-
效率
79%
电压-隔离度
1 kV
电压 - 输入(最大值)
13.2V
电压 - 输入(最小值)
10.8V
配置
Single
最大输出电流
42mA, 42mA
控制功能
-
电压 - 输出 2
-12V
测试电流
2 mA
产品类别
齐纳二极管
电压 - 输出 3
-
电压 - 输出 4
-
电压允差
5 %
齐纳电流
2 mA
特征
-
Vf-正向电压
1 V
产品类别
齐纳二极管
宽度
1.35 mm
高度
1.1 mm
长度
2.8 mm
BZT52C75S R9G拓展信息







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