Taiwan Semiconductor BZT55B12L1
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BZT55B12L1
2436-BZT55B12L1
无类别的
Mini-MELF
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Zener Diodes M500mW, 2%, Small Signal Zener Diode
--最小包装量--
BZT55B12L1详情
Taiwan Semiconductor BZT55B12L1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Mini-MELF
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Bulk
Base Product Number
KJL6P
厂商
ITT Cannon, LLC
Product Status
活跃
Voltage Temperature Coefficient
-
RoHS
Details
Vz - Zener Voltage
12 V
Brand
台湾半导体
Manufacturer
台湾半导体
Part # Aliases
BZT55B12
Mounting Styles
SMD/SMT
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10000
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Unit Weight
0.001023 oz
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Pd - Power Dissipation
500 mW
Ir - Maximum Reverse Leakage Current
0.1 uA
Zz - Zener Impedance
20 Ohms
Ir - Reverse Current
0.1 uA
Package Description
O-LELF-R2
Package Style
长式
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Reference Voltage-Nom
12 V
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZT55B12L1
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Risk Rank
5.23
系列
*
包装
MouseReel
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
Single
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
测试电流
5 mA
产品类别
齐纳二极管
最大电压允差
2%
JEDEC-95代码
DO-213AA
工作测试电流
5 mA
电压允差
2 %
反向电流-最大值
0.1 µA
齐纳电流
0.1 uA
动态阻抗-最大值
20 Ω
反向测试电压
9.1 V
膝阻抗-最大
90 Ω
Vf-正向电压
1 V
产品类别
齐纳二极管
直径
1.6 mm
长度
3.7 mm
达到SVHC
compliant
BZT55B12L1拓展信息







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