Taiwan Semiconductor BZT55B2V7

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

引脚数

2

Breakdown Voltage / V

51 V

Reverse Stand-off Voltage

43.6 V

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BZT55B2V7

Manufacturer

Formosa Microsemi Co Ltd

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

FORMOSA MICROSEMI CO LTD

Risk Rank

5.74

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.50

最大功率耗散

500 mW

Reach合规守则

unknown

阻抗

85 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

功率耗散

500 mW

最大反向漏电电流

1 µA

箝位电压

70.1 V

峰值脉冲电流

21.4 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

测试电流

5 mA

正向电压

1 V

齐纳电压

2.7 V

反向恢复时间

50 ns

最大重复反向电压(Vrrm)

250 V

电压允差

2 %

最大击穿电压

53.6 V

最大正向浪涌电流（Ifsm）

2.5 A

最大结点温度（Tj）

150 °C

最小击穿电压

48.5 V