Taiwan Semiconductor BZT55B5V6 L1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

1210 (3225 Metric)

表面安装

YES

供应商器件包装

1210

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Frequency-Self-Resonant

140MHz

Inductance Frequency-Test

25.2MHz

Material-Core

铁粉

Ir - Reverse Current

0.1 uA

Zz - Zener Impedance

25 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

0.1 uA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.001023 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

台湾半导体

Brand

台湾半导体

Vz - Zener Voltage

5.6 V

RoHS

Details

Voltage Temperature Coefficient

-

Package Description

O-LELF-R2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Reference Voltage-Nom

5.6 V

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BZT55B5V6L1

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Risk Rank

5.23

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

IMC-1210

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.49mm)

容差

±10%

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

Wirewound

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

环绕

屏蔽/屏蔽

Unshielded

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

额定电流

450mA

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

Single

电感,电感

820nH

直流电阻（DCR）

670 mOhm Max

二极管类型

泽纳电极

箱体转运

ISOLATED

谐振@频率

30 @ 25.2MHz

饱和电流

--

测试电流

5 mA

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

2%

JEDEC-95代码

DO-213AA

工作测试电流

5 mA

电压允差

2 %

齐纳电流

0.1 uA

Vf-正向电压

1 V

产品类别

齐纳二极管

座位高度(最大)

0.095 (2.41mm)

长度

3.7 mm

直径

1.6 mm

评级结果

--