Taiwan Semiconductor BZT55B6V2 L1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

20-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

20-SOIC

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package Description

O-LELF-R2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Reference Voltage-Nom

6.2 V

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BZT55B6V2L1

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

台湾半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Risk Rank

5.23

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

49FCT

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

类型

Fanout Buffer (Distribution)

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

HTS代码

8541.10.00.50

技术

ZENER

电压 - 供电

4.75 V ~ 5.25 V

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

基本部件号

IDT49FCT805

输出量

CMOS, LVTTL

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

电路数量

2

二极管类型

泽纳电极

箱体转运

ISOLATED

输入

CMOS, LVTTL

最大电压允差

2%

比率-输入：输出

1:5

JEDEC-95代码

DO-213AA

工作测试电流

5 mA

差分 - 输入：输出

No/No