Taiwan Semiconductor BZT55B8V2L1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

YES

底架

表面贴装

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

BZT55B8V2L1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Part Package Code

DO-213AA

Package Description

O-LELF-R2

Risk Rank

5.23

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Reference Voltage-Nom

8.2 V

Reflow Temperature-Max (s)

30

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

包装

卷带

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

功率耗散

500 mW

箱体转运

ISOLATED

测试电流

5 mA

齐纳电压

8.2 V

最大电压允差

2%

JEDEC-95代码

DO-213AA

工作测试电流

5 mA

电压允差

2 %