Taiwan Semiconductor BZT55C18
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BZT55C18
2436-BZT55C18
二极管 - 齐纳 - 单
4-SMD, No Lead
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QMMELF 500mW 5% Small Signal Zener Diode
1最小包装量--
BZT55C18详情
Taiwan Semiconductor BZT55C18重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
底架
表面贴装
引脚数
2
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SG-8101
厂商
EPSON
Product Status
活跃
Breakdown Voltage / V
51 V
Reverse Stand-off Voltage
43.6 V
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Compliant
Zz - Zener Impedance
50 Ohms
Ir - Maximum Reverse Leakage Current
0.1 uA
Pd - Power Dissipation
500 mW
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
0.001023 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Vz - Zener Voltage
18 V
Brand
台湾半导体
Manufacturer
台湾半导体
Part # Aliases
BZT55C18 L1G
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2500
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SG-8101
包装
切割胶带
尺寸/尺寸
0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)
类型
XO (Standard)
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Diodes & Rectifiers
最大功率耗散
500 mW
电压 - 供电
1.8V ~ 3.3V
频率
41.9979 MHz
频率稳定性
±15ppm
输出量
CMOS
功能
Enable/Disable
基本谐振器
Crystal
最大电流源
6.8mA (Typ)
电流 - 电源(禁用)(最大值)
3.5mA
配置
Single
阻抗
50 Ω
元素配置
Single
功率耗散
500 mW
扩频带宽
-
最大反向漏电电流
1 µA
箝位电压
70.1 V
峰值脉冲电流
21.4 A
峰值脉冲功率
1.5 kW
测试电流
5 mA
正向电压
1 V
齐纳电压
18 V
产品类别
齐纳二极管
反向恢复时间
50 ns
最大重复反向电压(Vrrm)
250 V
电压允差
6 %
最大击穿电压
53.6 V
绝对牵引范围 (APR)
-
最大正向浪涌电流(Ifsm)
2.5 A
齐纳电流
0.1 uA
最大结点温度(Tj)
150 °C
最小击穿电压
48.5 V
产品类别
齐纳二极管
座位高度(最大)
0.055 (1.40mm)
宽度
1.6 mm
高度
1.8 mm
长度
3.7 mm
达到SVHC
无SVHC
评级结果
-
BZT55C18拓展信息
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
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Taiwan Semiconductor
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