Taiwan Semiconductor BZT55C4V3

包装/外壳

Quadro-Melf-2

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Zz - Zener Impedance

75 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

1 uA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.001023 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Manufacturer

台湾半导体

Brand

台湾半导体

Vz - Zener Voltage

4.3 V

RoHS

Details

Package Description

O-LELF-R2

Part Package Code

MELF

Risk Rank

5.73

Ihs Manufacturer

VISHAY TELEFUNKEN

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Package Shape

ROUND

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Manufacturer Part Number

BZT55C4V3

Rohs Code

有

Reference Voltage-Nom

4.3 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

GLASS

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Style

长式

系列

BZT55C

包装

Reel

JESD-609代码

e2

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

Single

二极管类型

泽纳电极

箱体转运

ISOLATED

测试电流

5 mA

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

6.977%

工作测试电流

5 mA

电压允差

5 %

齐纳电流

1 uA

产品类别

齐纳二极管