Taiwan Semiconductor BZT55C9V1 L1
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BZT55C9V1 L1
2436-BZT55C9V1 L1
二极管 - 齐纳 - 单
Quadro Mini-Melf-2
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QMMELF, 500mW, 5%, Small Signal Zener Diode
1最小包装量--
BZT55C9V1 L1详情
Taiwan Semiconductor BZT55C9V1 L1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
底架
表面贴装
包装/外壳
Quadro Mini-Melf-2
表面安装
YES
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Compliant
Ir - Reverse Current
0.1 uA
Zz - Zener Impedance
10 Ohms
Ir - Maximum Reverse Leakage Current
0.1 uA
Pd - Power Dissipation
500 mW
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
0.001023 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2500
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
台湾半导体
Brand
台湾半导体
Vz - Zener Voltage
9.1 V
Voltage Temperature Coefficient
-
Package Description
ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, LS34, QUADRO MINIMELF-2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Risk Rank
5.23
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Package Shape
ROUND
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Manufacturer Part Number
BZT55C9V1L1
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
175 °C
Reference Voltage-Nom
9.1 V
包装
卷带
系列
BZT55C
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
Single
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
功率耗散
500 mW
箱体转运
ISOLATED
测试电流
5 mA
齐纳电压
9.1 V
产品类别
齐纳二极管
最大电压允差
5%
JEDEC-95代码
DO-213AA
工作测试电流
5 mA
电压允差
5 %
齐纳电流
0.1 uA
动态阻抗-最大值
10 Ω
Vf-正向电压
1 V
产品类别
齐纳二极管
宽度
1.8 mm
高度
1.6 mm
长度
3.7 mm
BZT55C9V1 L1拓展信息
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
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