Taiwan Semiconductor BZV55B30 L1
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BZV55B30 L1
2436-BZV55B30 L1
二极管 - 齐纳 - 单
1206 (3216 Metric)
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Zener Diodes M500mW, 2%, Small Signal Zener Diode
1最小包装量--
BZV55B30 L1详情
Taiwan Semiconductor BZV55B30 L1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
1206 (3216 Metric)
表面安装
YES
供应商器件包装
1206
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Tray
厂商
Vishay Dale
Product Status
活跃
Ir - Reverse Current
0.1 uA
Zz - Zener Impedance
80 Ohms
Ir - Maximum Reverse Leakage Current
0.1 uA
Pd - Power Dissipation
500 mW
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
0.001058 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2500
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
台湾半导体
Brand
台湾半导体
Vz - Zener Voltage
30 V
RoHS
Details
Voltage Temperature Coefficient
-
Package Description
O-LELF-R2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Reference Voltage-Nom
30 V
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZV55B30L1
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Risk Rank
5.44
操作温度
-65°C ~ 155°C
系列
RCP
包装
切割胶带
尺寸/尺寸
0.122 L x 0.060 W (3.10mm x 1.52mm)
容差
±2%
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±150ppm/°C
电阻
1.1 kOhms
组成
厚膜
功率(瓦特)
2.4W
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
不合格
失败率
-
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
Single
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
测试电流
5 mA
产品类别
齐纳二极管
最大电压允差
2%
JEDEC-95代码
DO-213AC
工作测试电流
5 mA
电压允差
2 %
齐纳电流
0.1 uA
特征
Moisture Resistant
Vf-正向电压
1 V
产品类别
齐纳二极管
座位高度(最大)
0.025 (0.64mm)
长度
3.7 mm
直径
1.6 mm
BZV55B30 L1拓展信息
Taiwan Semiconductor
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