Taiwan Semiconductor BZV79C8V2 L1G
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BZV79C8V2 L1G
2436-BZV79C8V2 L1G
二极管 - 齐纳 - 单
--
大陆
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Zener Diodes Zener 500mW 8v2
1最小包装量--
BZV79C8V2 L1G详情
Taiwan Semiconductor BZV79C8V2 L1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Through Hole, Right Angle, Horizontal
表面安装
YES
房屋材料
Polyamide (PA46), Nylon 4/6
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
位置或引脚数量(网格)
24 (2 x 12)
触点材料 - 配套
磷青铜
触点材料 - 柱子
磷青铜
Contact Finish Mating
Tin
Package Description
O-LELF-R2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Reference Voltage-Nom
8.2 V
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZV79C8V2L1G
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
台湾半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Risk Rank
5.61
操作温度
--
系列
Vertisockets™ 800
包装
Bulk
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
终端
Solder
ECCN 代码
EAR99
类型
DIP, 0.6 (15.24mm) Row Spacing
端子表面处理
哑光锡
HTS代码
8541.10.00.50
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
额定电流
1.5A
间距 - 配套
0.100 (2.54mm)
JESD-30代码
O-LELF-R2
触点表面处理 - 柱子
Tin
极性
UNIDIRECTIONAL
触点电阻
--
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
最大电压允差
6.1%
JEDEC-95代码
DO-213AC
工作测试电流
5 mA
端子柱长度
0.145 (3.68mm)
间距--柱子
0.100 (2.54mm)
特征
封闭框架
触点表面处理厚度 - 配套
200.0µin (5.08µm)
触点表面处理厚度 - 柱子
200.0µin (5.08µm)
材料可燃性等级
UL94 V-0
BZV79C8V2 L1G拓展信息
Taiwan Semiconductor
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