Taiwan Semiconductor BZW04-31B R0

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AL-2

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

5.2 x 2.7 x 2.7mm

Package Type

DO-41

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Direction Type

Bi-Directional

Breakdown Voltage / V

34.2 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.012346 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

5000

Ipp - Peak Pulse Current

8 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

400 W

Manufacturer

台湾半导体

Brand

台湾半导体

RoHS

Details

Reverse Stand-off Voltage

30.8 V

Number of Elements

1

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BZW04-31BR0

Power Dissipation (Max)

1 W

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Risk Rank

5.2

系列

BZW04

包装

切割胶带

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW IMPEDANCE

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-PALF-W2

工作电压

30.8 V

极性

双向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

泄漏电流

1 µA

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

箝位电压

49.9 V

峰值脉冲电流

8 A

峰值脉冲功率

400 W

测试电流

1mA

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

30.8 V

JEDEC-95代码

DO-204AL

反向击穿电压

34.2 V

最大非代表峰值转速功率Dis

400 W

二极管配置

Single

击穿电压-最小值

34.2 V

击穿电压-最大值

37.8 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

宽度

2.7mm

高度

2.7mm

长度

5.2mm

辐射硬化

无