Taiwan Semiconductor BZW06376BR0

底架

通孔

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Voltage, Rating

6 kV

Voltage Rating (DC)

6 kV

RoHS

Compliant

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BZW06-376BR0

Power Dissipation (Max)

1.7 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

台湾半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Risk Rank

5.36

容差

20 %

终端

Radial

ECCN 代码

EAR99

温度系数

30 ppm/°C

最高工作温度

105 °C

最小工作温度

-25 °C

组成

Ceramic

附加功能

出色的夹持能力

HTS代码

8541.10.00.50

电容量

4.7 pF

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-PALF-W2

螺纹距离

9.5 mm

电介质

C0G

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

耗散因数

0.2 %

引线/基座样式

Straight

Rep Pk反向电压-最大值

376 V

JEDEC-95代码

DO-204AC

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

击穿电压-最小值

418 V

击穿电压-最大值

462 V