Taiwan Semiconductor BZX55B11R0

表面安装

NO

包装/外壳

DO-35-2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

BZX55B11R0

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Part Package Code

DO-35

Package Description

O-LALF-W2

Risk Rank

5.68

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Reference Voltage-Nom

11 V

Reflow Temperature-Max (s)

30

Ir - Reverse Current

0.1 uA

Zz - Zener Impedance

20 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

0.1 uA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.005291 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10000

Mounting Styles

通孔

Brand

台湾半导体

Vz - Zener Voltage

11 V

RoHS

Details

Voltage Temperature Coefficient

-

包装

切割胶带

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

箱体转运

ISOLATED

测试电流

5 mA

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

2%

JEDEC-95代码

DO-35

工作测试电流

5 mA

电压允差

2 %

齐纳电流

0.1 uA

Vf-正向电压

1 V

产品类别

齐纳二极管

长度

5.08 mm

直径

2.28 mm