Taiwan Semiconductor BZX55B30
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BZX55B30
2436-BZX55B30
二极管 - 齐纳 - 单
0805 (2012 Metric)
大陆
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DO-35 500mW 2% Small Signal Zener Diode
1最小包装量--
BZX55B30详情
Taiwan Semiconductor BZX55B30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
包装/外壳
0805 (2012 Metric)
供应商器件包装
0805
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SG73P2
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Breakdown Voltage / V
51 V
Reverse Stand-off Voltage
43.6 V
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Compliant
Unit Weight
0.005291 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10000
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
台湾半导体
Brand
台湾半导体
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
SG73P-RT
包装
Reel
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
容差
±1%
终止次数
2
温度系数
±200ppm/°C
电阻
287 Ohms
组成
厚膜
功率(瓦特)
0.25W, 1/4W
子类别
Diodes & Rectifiers
失败率
-
配置
Single
元素配置
Single
功率耗散
500 mW
最大反向漏电电流
1 µA
箝位电压
70.1 V
峰值脉冲电流
21.4 A
峰值脉冲功率
1.5 kW
测试电流
5 mA
正向电压
1 V
齐纳电压
30 V
产品类别
齐纳二极管
反向恢复时间
50 ns
最大重复反向电压(Vrrm)
250 V
最大击穿电压
53.6 V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
2.5 A
最大结点温度(Tj)
175 °C
最小击穿电压
48.5 V
特征
Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
产品类别
齐纳二极管
座位高度(最大)
0.024 (0.60mm)
评级结果
AEC-Q200
BZX55B30拓展信息
Taiwan Semiconductor
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