Taiwan Semiconductor BZX55B3V9 R0
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BZX55B3V9 R0
2436-BZX55B3V9 R0
二极管 - 齐纳 - 单
Axial
大陆
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DO-35, 500mW, 2%, Small Signal Zener Diode
1最小包装量--
BZX55B3V9 R0详情
Taiwan Semiconductor BZX55B3V9 R0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Axial
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
2
供应商器件包装
Axial
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Non-Compliant
Package Description
O-LALF-W2
Package Style
长式
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Reference Voltage-Nom
3.9 V
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZX55B3V9R0
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
台湾半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Risk Rank
5.67
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C ~ 175°C
系列
CMF
尺寸/尺寸
0.145 Dia x 0.344 L (3.68mm x 8.74mm)
容差
±1%
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±100ppm/°C
电阻
200 Ohms
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Metal Film
功率(瓦特)
1W
HTS代码
8541.10.00.50
技术
ZENER
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
250
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
不合格
失败率
--
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
功率耗散
500 mW
箱体转运
ISOLATED
测试电流
5 mA
齐纳电压
3.9 V
最大电压允差
2%
JEDEC-95代码
DO-35
工作测试电流
5 mA
电压允差
2 %
特征
Flame Retardant Coating, Moisture Resistant, Safety
座位高度(最大)
--
BZX55B3V9 R0拓展信息
Taiwan Semiconductor
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