Taiwan Semiconductor BZX55B4V3 R0

包装/外壳

DO-35-2

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Voltage, Rating

50 V

Ir - Reverse Current

1 uA

Zz - Zener Impedance

75 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

1 uA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.005291 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10000

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

台湾半导体

Brand

台湾半导体

Vz - Zener Voltage

4.3 V

RoHS

Details

Voltage Temperature Coefficient

-

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Reference Voltage-Nom

4.3 V

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BZX55B4V3R0

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Part Package Code

DO-35

Risk Rank

5.68

包装

切割胶带

容差

1 %

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

温度系数

50 ppm/°C

电阻

9.76 kΩ

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

额定功率

100 mW

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

Single

二极管类型

泽纳电极

箱体转运

ISOLATED

测试电流

5 mA

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

2%

JEDEC-95代码

DO-35

工作测试电流

5 mA

电压允差

2 %

齐纳电流

1 uA

Vf-正向电压

1 V

产品类别

齐纳二极管

高度

550 µm

长度

5.08 mm

直径

2.28 mm