Taiwan Semiconductor BZX55C75
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BZX55C75
2436-BZX55C75
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DO-35 500mW 5% Small Signal Zener Diode
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BZX55C75详情
Taiwan Semiconductor BZX55C75重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 3 years ago)
Breakdown Voltage / V
51 V
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 years ago)
Reverse Stand-off Voltage
43.6 V
RoHS
Non-Compliant
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
阻抗
170 Ω
元素配置
Single
功率耗散
500 mW
最大反向漏电电流
1 µA
箝位电压
70.1 V
峰值脉冲电流
21.4 A
峰值脉冲功率
1.5 kW
测试电流
2.5 mA
正向电压
1 V
齐纳电压
75 V
反向恢复时间
50 ns
最大重复反向电压(Vrrm)
250 V
电压允差
7 %
最大击穿电压
53.6 V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
2.5 A
最大结点温度(Tj)
175 °C
最小击穿电压
48.5 V
BZX55C75拓展信息







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