Taiwan Semiconductor BZX79B4V7
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BZX79B4V7
2436-BZX79B4V7
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DO-35-2
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DO-35 500mW 2% Small Signal Zener Diode
1最小包装量--
BZX79B4V7详情
Taiwan Semiconductor BZX79B4V7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
包装/外壳
DO-35-2
Breakdown Voltage / V
51 V
Reverse Stand-off Voltage
43.6 V
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Non-Compliant
Zz - Zener Impedance
80 Ohms
Pd - Power Dissipation
500 mW
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
0.005291 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10000
Manufacturer
台湾半导体
Brand
台湾半导体
Vz - Zener Voltage
4.7 V
系列
BZX79B
包装
Reel
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Diodes & Rectifiers
最大功率耗散
500 mW
配置
Single
阻抗
80 Ω
元素配置
Single
功率耗散
500 mW
最大反向漏电电流
1 µA
箝位电压
70.1 V
峰值脉冲电流
21.4 A
峰值脉冲功率
1.5 kW
测试电流
5 mA
正向电压
1 V
齐纳电压
4.7 V
产品类别
齐纳二极管
反向恢复时间
50 ns
最大重复反向电压(Vrrm)
250 V
电压允差
2 %
最大击穿电压
53.6 V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
2.5 A
齐纳电流
2 mA
最大结点温度(Tj)
175 °C
最小击穿电压
48.5 V
产品类别
齐纳二极管
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
BZX79B4V7拓展信息







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