Taiwan Semiconductor BZX85C3V6 R0
- 收藏
- 对比
BZX85C3V6 R0
2436-BZX85C3V6 R0
无类别的
208-LQFP Exposed Pad
大陆
立即发货

Diode Zener Single 3.6V 5% 1.3W 2-Pin DO-41 T/R
1最小包装量--
BZX85C3V6 R0详情
Taiwan Semiconductor BZX85C3V6 R0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
208-LQFP Exposed Pad
安装类型
表面贴装
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
2
供应商器件包装
208-TEQFP (28x28)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Product Status
Discontinued at Digi-Key
Data Converters
A/D 40x12b; D/A 2x10b
厂商
Infineon Technologies
Base Product Number
MB9DF566
Package
Tray
Number of I/Os
125
RoHS
Compliant
Package Description
O-LALF-W2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Reference Voltage-Nom
3.6 V
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZX85C3V6R0
Power Dissipation (Max)
1.3 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
台湾半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Risk Rank
5.36
系列
Traveo MB9D560
操作温度
-40°C ~ 125°C (TA)
包装
卷带
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
技术
ZENER
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
振荡器类型
Internal
元素配置
Single
速度
200MHz
二极管类型
泽纳电极
内存大小
256K x 8
功率耗散
1.3 W
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
1.1V ~ 5.5V
核心处理器
ARM® Cortex®-R5F
箱体转运
ISOLATED
周边设备
DMA, LVD, POR, PWM, WDT
程序存储器类型
FLASH
芯尺寸
32-Bit Single-Core
程序内存大小
2.25MB (2.25M x 8)
连接方式
CANbus, CSIO, I²C, LINbus, UART/USART
测试电流
60 mA
齐纳电压
3.6 V
最大电压允差
5%
JEDEC-95代码
DO-41
工作测试电流
60 mA
EEPROM 大小
128K x 8
电压允差
5 %
达到SVHC
compliant
BZX85C3V6 R0拓展信息







哦! 它是空的。