Taiwan Semiconductor BZY55B4V7 RBG
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BZY55B4V7 RBG
2436-BZY55B4V7 RBG
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0805 (2012 metric)
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Zener Diodes 500mW, 2%, Small Signal Zener Diode
1最小包装量--
BZY55B4V7 RBG详情
Taiwan Semiconductor BZY55B4V7 RBG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
0805 (2012 metric)
Ir - Reverse Current
0.5 uA
Zz - Zener Impedance
70 Ohms
Ir - Maximum Reverse Leakage Current
0.5 uA
Pd - Power Dissipation
500 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
0.000212 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10000
Mounting Styles
SMD/SMT
Part # Aliases
BZY55B4V7
Manufacturer
台湾半导体
Brand
台湾半导体
If - Forward Current
10 mA
Vz - Zener Voltage
4.7 V
RoHS
Details
Voltage Temperature Coefficient
-
Risk Rank
5.46
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Part Life Cycle Code
活跃
Manufacturer Part Number
BZY55B4V7RBG
Rohs Code
有
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Moisture Sensitivity Levels
1
系列
BZY55B4V7
包装
切割胶带
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
配置
Single
测试电流
5 mA
产品类别
齐纳二极管
电压允差
2 %
齐纳电流
0.5 uA
Vf-正向电压
1.5 V
产品类别
齐纳二极管
宽度
1.45 mm
高度
0.85 mm
长度
2.2 mm
BZY55B4V7 RBG拓展信息







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