Taiwan Semiconductor DBL153G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

包装/外壳

1212 (3030 Metric)

安装类型

表面贴装

表面安装

NO

引脚数

4

供应商器件包装

SMD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

4

封装的热阻

9.4°C/W

CCT(K)

6000K

Lead Free Status / RoHS Status

--

Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package

Tube

厂商

Taiwan Semiconductor Corporation

Product Status

活跃

Package Description

R-PDIP-T4

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

DBL153G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

4

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Forward Voltage-Max (VF)

1.1 V

Risk Rank

5.35

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OSLON SSL

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

尺寸/尺寸

0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm)

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

--

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

PURE TIN

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

颜色

White, Cool

附加功能

UL 认证

HTS代码

8541.10.00.80

电容量

IR - 2uA

子类别

桥式整流二极管

技术

Standard

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDIP-T4

资历状况

不合格

配置

BRIDGE, 4 ELEMENTS

电压

VRRM - 200V

二极管类型

单相

反向泄漏电流@ Vr

2 µA @ 200 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 1.5 A

电压 - 正向 (Vf) (类型)

3.1V

视角

80°

测试电流

350mA

最大反向漏电电流

2 µA

流明/瓦特@电流 - 测试

125 lm/W

最大浪涌电流

50 A

输出电流-最大值

1.5 A

显色指数

70 (Typ)

平均整流电流（Io）

1.5 A

正向电压

1.1 V

最大电流

1A

相位的数量

1

最大重复反向电压(Vrrm)

200 V

Rep Pk反向电压-最大值

200 V

最大非代表Pk前进电流

50 A

通量@25°C，电流测试

136 lm (121 lm ~ 150 lm)

通量@85°C，电流测试

--

最大正向浪涌电流（Ifsm）

50 A

电压 - 峰值反向（最大值）

200 V

最大结点温度（Tj）

150 °C

击穿电压-最小值

200 V

座位高度(最大)

0.093 (2.35mm)

宽度

6.5 mm

高度

2.6 mm

长度

8.51 mm