DTA123YSA
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Taiwan Semiconductor DTA123YSA

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型号

DTA123YSA

utmel 编号

2436-DTA123YSA

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor PNP

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1最小包装量--

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DTA123YSA
DTA123YSA Taiwan Semiconductor Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor PNP

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DTA123YSA详情

Taiwan Semiconductor DTA123YSA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    DTA123YSA

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROHM CO LTD

  • Package Description

    IN-LINE, R-PSIP-T3

  • Risk Rank

    5.35

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    IN-LINE

  • Reflow Temperature-Max (s)

    10

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    250 MHz

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡银铜

  • 附加功能

    DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.3 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    33

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

  • VCEsat-最大值

    0.3 V

0个相似型号

DTA123YSA拓展信息

BC338-25 B1G
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BC338-40 B1G
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MMBT2907A RFG
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Taiwan Semiconductor Corporation

BC338-40-B0 B1
BC338-40-B0 B1

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MMBTRA103 RF
MMBTRA103 RF

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MMBT2222A RF
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BC338-16-B0 A1
BC338-16-B0 A1

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BC337-40-B0 A1
BC337-40-B0 A1

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BC337-25-B0 B1
BC337-25-B0 B1

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