Taiwan Semiconductor ES3D R6G
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ES3D R6G
2436-ES3D R6G
二极管 - 整流器 - 单
DO-214AB, SMC
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DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
1最小包装量--
ES3D R6G详情
Taiwan Semiconductor ES3D R6G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
DO-214AB, SMC
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-214AB (SMC)
房屋材料
Brass
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
RoHS
Non-Compliant
Product Status
Discontinued at Digi-Key
厂商
Taiwan Semiconductor Corporation
Package
Tape & Reel (TR)
Package Description
R-PDSO-C2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
ES3DR6G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Forward Voltage-Max (VF)
1.3 V
Risk Rank
5.04
系列
-
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
应用
EFFICIENCY
性别
Male
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
Reach合规守则
compliant
额定电流
14 A
JESD-30代码
R-PDSO-C2
接头数量
5
触点样式
Pin
配置
SINGLE
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
10 µA @ 200 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
950 mV @ 3 A
工作温度 - 结点
-55°C ~ 150°C
输出电流-最大值
3 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
200 V
平均整流电流(Io)
3A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
400 V
JEDEC-95代码
DO-214AB
电容@Vr, F
45pF @ 4V, 1MHz
最大非代表Pk前进电流
100 A
反向电流-最大值
10 µA
反向恢复时间-最大值
0.035 µs
反向恢复时间(trr)
35 ns
长度
50 mm
直径
15 mm
ES3D R6G拓展信息
Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor Corporation







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