Taiwan Semiconductor HE8550G-E-AE3-R
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HE8550G-E-AE3-R
2436-HE8550G-E-AE3-R
集成电路(IC)
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大陆
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HE8550G-E-AE3-R详情
Taiwan Semiconductor HE8550G-E-AE3-R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
HE8550G-E-AE3-R
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Risk Rank
5.62
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Transition Frequency-Nom (fT)
190 MHz
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
集电极电流-最大值(IC)
1.5 A
最小直流增益(hFE)
250
集电极-发射器电压-最大值
25 V
HE8550G-E-AE3-R拓展信息







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