Taiwan Semiconductor HER603G
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HER603G
2436-HER603G
无类别的
3AB, 3AG, 1/4 x 1-1/4
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Fast / Ultrafast Diode,200 V, 6 A, Single, 1 V, 50 ns, 150 A
1最小包装量--
HER603G详情
Taiwan Semiconductor HER603G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
Holder
包装/外壳
3AB, 3AG, 1/4 x 1-1/4
表面安装
NO
供应商器件包装
R-6
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Lead Free Status / RoHS Status
--
Approvals
CE, CSA, cULus, PSE
Voltage Rating AC
250V
Qualification
-
Unit Weight
0.074075 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Manufacturer
台湾半导体
Brand
台湾半导体
RoHS
Details
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Taiwan Semiconductor Corporation
Product Status
活跃
Package Description
O-PALF-W2
Package Style
长式
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
HER603G
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SURGE COMPONENTS INC
Forward Voltage-Max (VF)
1 V
Risk Rank
5.63
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
3SB
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.250 Dia x 1.252 L (6.35mm x 31.80mm)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
--
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
颜色
--
应用
EFFICIENCY
附加功能
HIGH RELIABILITY
子类别
Diodes & Rectifiers
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
Reach合规守则
compliant
额定电流
2.5A
JESD-30代码
O-PALF-W2
配置
SINGLE
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
10 µA @ 200 V
功率耗散
400 mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 6 A
箱体转运
ISOLATED
正向电流
6 A
回应时间
Slow
最大反向漏电电流
10 µA
工作温度 - 结点
-55°C ~ 150°C
最大浪涌电流
150 A
输出电流-最大值
6 A
保险丝类型
Cartridge, Glass
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
200 V
平均整流电流(Io)
6A
正向电压
1 V
分断能力@额定电压
200A
产品类别
Rectifiers
相位的数量
1
反向恢复时间
50ns
峰值反向电流
10 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
200 V
Rep Pk反向电压-最大值
200 V
电容@Vr, F
80pF @ 4V, 1MHz
直流抗寒性
0.08 Ohms
最大非代表Pk前进电流
250 A
反向电压
200 V
二极管配置
Single
反向电流-最大值
10 µA
最大正向浪涌电流(Ifsm)
150 A
恢复时间
50 ns
最大结点温度(Tj)
150 °C
重复峰值反向电压
200V
反向恢复时间-最大值
0.05 µs
反向恢复时间(trr)
50 ns
产品
Rectifiers
产品类别
Rectifiers
高度
9.1 mm
达到SVHC
无SVHC
HER603G拓展信息







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