Taiwan Semiconductor HERA803G
- 收藏
- 对比
HERA803G
2436-HERA803G
无类别的
TO-220-2
大陆
立即发货

HERA803G datasheet pdf and Unclassified product details from Taiwan Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
HERA803G详情
Taiwan Semiconductor HERA803G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-2
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-220AC
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Tube
厂商
Taiwan Semiconductor Corporation
Product Status
活跃
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Non-Compliant
Package Description
R-PSFM-T2
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-65 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
HERA803G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Forward Voltage-Max (VF)
1 V
Risk Rank
5.37
Part Package Code
TO-220AC
系列
-
端子表面处理
Pure Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
应用
EFFICIENCY
附加功能
FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.80
子类别
研磨二极管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
10 µA @ 200 V
功率耗散
400 mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 8 A
箱体转运
CATHODE
最大反向漏电电流
10 µA
工作温度 - 结点
-55°C ~ 150°C
最大浪涌电流
150 A
输出电流-最大值
8 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
200 V
平均整流电流(Io)
8A
正向电压
1 V
相位的数量
1
反向恢复时间
50 ns
峰值反向电流
10 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
200 V
Rep Pk反向电压-最大值
200 V
JEDEC-95代码
TO-220AC
电容@Vr, F
65pF @ 4V, 1MHz
最大非代表Pk前进电流
150 A
反向电压
200 V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
150 A
恢复时间
50 ns
最大结点温度(Tj)
150 °C
反向恢复时间-最大值
0.05 µs
反向恢复时间(trr)
50 ns
HERA803G拓展信息







哦! 它是空的。