HERAF1603G
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Taiwan Semiconductor HERAF1603G

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型号

HERAF1603G

utmel 编号

2436-HERAF1603G

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

50ns 16A 200V High Efficient Recovery Rectifier

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HERAF1603G
HERAF1603G Taiwan Semiconductor 50ns 16A 200V High Efficient Recovery Rectifier

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HERAF1603G详情

Taiwan Semiconductor HERAF1603G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 years ago)

  • 表面安装

    NO

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • RoHS

  • Manufacturer Lifecycle Status

    ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

  • Package Description

    GREEN, PLASTIC, ITO-220AC, 2 PIN

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -65 °C

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    HERAF1603G

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    台湾半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

  • Forward Voltage-Max (VF)

    1 V

  • Risk Rank

    5.48

  • 端子表面处理

    Pure Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 应用

    EFFICIENCY

  • 附加功能

    FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED

  • HTS代码

    8541.10.00.80

  • 子类别

    研磨二极管

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 元素配置

    Single

  • 二极管类型

    接收电极

  • 功率耗散

    400 mW

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 最大反向漏电电流

    10 µA

  • 最大浪涌电流

    250 A

  • 输出电流-最大值

    16 A

  • 正向电压

    1 V

  • 相位的数量

    1

  • 反向恢复时间

    50 ns

  • 峰值反向电流

    10 µA

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    200 V

  • Rep Pk反向电压-最大值

    200 V

  • JEDEC-95代码

    TO-220AC

  • 最大非代表Pk前进电流

    250 A

  • 反向电压

    200 V

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    250 A

  • 恢复时间

    50 ns

  • 最大结点温度(Tj)

    150 °C

  • 反向恢复时间-最大值

    0.05 µs

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