Taiwan Semiconductor HERF1006G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

包装/外壳

ITO-220-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

ITO-220AB

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

Unit Weight

0.059966 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

台湾半导体

Brand

台湾半导体

RoHS

Details

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

Package

Tube

Base Product Number

HERF1006

厂商

Taiwan Semiconductor Corporation

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Current - Average Rectified (Io) (per Diode)

10A

Package Description

GREEN, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

HERF1006G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Forward Voltage-Max (VF)

1.7 V

Risk Rank

5.38

包装

Tube

系列

-

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

PURE TIN

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

EFFICIENCY

附加功能

FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED

HTS代码

8541.10.00.80

子类别

Diodes & Rectifiers

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS

元素配置

共阴极

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 600 V

功率耗散

400 mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.7 V @ 10 A

箱体转运

ISOLATED

最大反向漏电电流

10 µA

工作温度 - 结点

-55°C ~ 150°C

最大浪涌电流

125 A

输出电流-最大值

5 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

600 V

正向电压

1.7 V

产品类别

Rectifiers

相位的数量

1

反向恢复时间

80 ns

峰值反向电流

10 µA

最大重复反向电压(Vrrm)

600 V

Rep Pk反向电压-最大值

600 V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大非代表Pk前进电流

125 A

反向电压

600 V

二极管配置

1 Pair Common Cathode

最大正向浪涌电流（Ifsm）

125 A

恢复时间

80 ns

最大结点温度（Tj）

150 °C

反向恢复时间-最大值

0.08 µs

反向恢复时间(trr)

80 ns

产品

Rectifiers

产品类别

Rectifiers