Taiwan Semiconductor HS3KR6G
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HS3KR6G详情
Taiwan Semiconductor HS3KR6G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-214AB, SMC
供应商器件包装
DO-214AB (SMC)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Forward Voltage-Max (VF)
1.7 V
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Risk Rank
5.1
Package Description
R-PDSO-C2
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Part Life Cycle Code
活跃
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
HS3KR6G
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Taiwan Semiconductor Corporation
Product Status
Discontinued at Digi-Key
系列
-
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
应用
EFFICIENCY
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-C2
配置
SINGLE
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
接收电极
反向泄漏电流@ Vr
10 µA @ 800 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7 V @ 3 A
工作温度 - 结点
-55°C ~ 150°C
输出电流-最大值
3 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
800 V
平均整流电流(Io)
3A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
800 V
JEDEC-95代码
DO-214AB
电容@Vr, F
50pF @ 4V, 1MHz
最大非代表Pk前进电流
150 A
反向电流-最大值
10 µA
反向恢复时间-最大值
0.075 µs
反向恢复时间(trr)
75 ns
HS3KR6G拓展信息








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