Taiwan Semiconductor MBR10150CT

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Non-Compliant

Unit Weight

0.211644 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Manufacturer

台湾半导体

Brand

台湾半导体

Package

Tube

Base Product Number

MBR10150

厂商

Taiwan Semiconductor Corporation

Product Status

活跃

Current - Average Rectified (Io) (per Diode)

10A

系列

MBR10150CT

包装

Tube

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

Si

元素配置

共阴极

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

100 µA @ 150 V

功率耗散

400 mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

980 mV @ 10 A

正向电流

10 A

最大反向漏电电流

100 µA

工作温度 - 结点

-55°C ~ 150°C

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

150 V

正向电压

880 mV

产品类别

Schottky Diodes & Rectifiers

反向恢复时间

25 ns

峰值反向电流

8 µA

最大重复反向电压(Vrrm)

150 V

二极管配置

Dual Common Cathod

最大正向浪涌电流（Ifsm）

120 A

最大结点温度（Tj）

150 °C

重复峰值反向电压

150

产品类别

Schottky Diodes & Rectifiers

达到SVHC

无SVHC