Taiwan Semiconductor MBR10200CTD0G

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

RoHS

Non-Compliant

Package Description

R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

MBR10200CTD0G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

台湾半导体

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Forward Voltage-Max (VF)

0.98 V

Risk Rank

5.24

包装

Bulk

容差

1 %

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

30 ppm/°C

电阻

16.9 Ω

组成

Wirewound

应用

EFFICIENCY

附加功能

FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS

额定功率

5 W

最大功率耗散

5 W

技术

SCHOTTKY

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

引线长度

38.1 mm

失败率

0.001 %

配置

COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS

二极管类型

接收电极

箱体转运

CATHODE

输出电流-最大值

5 A

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

200 V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大非代表Pk前进电流

120 A

反向电流-最大值

100 µA

特征

Military, Moisture Resistant

宽度

7.92 mm

长度

22.225 mm

无铅

含铅