Taiwan Semiconductor MBR1050CT
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MBR1050CT详情
Taiwan Semiconductor MBR1050CT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
Production (Last Updated: 3 years ago)
Case/Package
TO-220AB
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 years ago)
功率耗散
400 mW
最大反向漏电电流
100 µA
正向电压
800 mV
反向恢复时间
25 ns
最大重复反向电压(Vrrm)
50 V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
120 A
最大结点温度(Tj)
150 °C
MBR1050CT拓展信息








哦! 它是空的。