Taiwan Semiconductor MBR20200CT

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

包装/外壳

TO-220AB-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-220AB

Qualification

-

Ir - Reverse Current

100 uA

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.211644 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Mounting Styles

通孔

Vrrm - Repetitive Reverse Voltage

200 V

Manufacturer

台湾半导体

Brand

台湾半导体

If - Forward Current

20 A

RoHS

Details

Ifsm - Forward Surge Current

150 A

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

Package

Tube

Base Product Number

MBR20200

厂商

Taiwan Semiconductor Corporation

Product Status

活跃

Current - Average Rectified (Io) (per Diode)

20A

系列

MBR20200CT

包装

Tube

类型

肖特基二极管

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

Si

配置

Single

元素配置

共阴极

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

100 µA @ 200 V

功率耗散

400 mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.23 V @ 20 A

正向电流

20 A

最大反向漏电电流

100 µA

工作温度 - 结点

-55°C ~ 150°C

最大浪涌电流

150 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

200 V

正向电压

990 mV

产品类别

Schottky Diodes & Rectifiers

反向恢复时间

25 ns

最大重复反向电压(Vrrm)

200 V

二极管配置

Dual Common Cathod

最大正向浪涌电流（Ifsm）

150 A

最大结点温度（Tj）

150 °C

重复峰值反向电压

200

产品

肖特基整流器

Vf-正向电压

1.23 V

产品类别

Schottky Diodes & Rectifiers

宽度

4.7 mm

高度

8.24 mm

长度

10.5 mm