Taiwan Semiconductor MBR30L120CT

表面安装

NO

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-220AB

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

Manufacturer Part Number

MBR30L120CT

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

FORMOSA MICROSEMI CO LTD

Package Description

R-PSFM-T3

Risk Rank

5.7

Forward Voltage-Max (VF)

0.6 V

Number of Elements

2

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Unit Weight

0.081130 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Brand

台湾半导体

RoHS

Details

Package

Tube

Base Product Number

MBR30

厂商

Taiwan Semiconductor Corporation

Product Status

活跃

Current - Average Rectified (Io) (per Diode)

30A

系列

MBR30LxxCT

包装

Tube

应用

EFFICIENCY

附加功能

低功率损耗

子类别

Diodes & Rectifiers

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

接收电极

反向泄漏电流@ Vr

20 µA @ 120 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

950 mV @ 30 A

工作温度 - 结点

-55°C ~ 150°C

输出电流-最大值

15 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

120 V

产品类别

Schottky Diodes & Rectifiers

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

120 V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大非代表Pk前进电流

300 A

二极管配置

1 Pair Common Cathode

反向电流-最大值

20 µA

产品类别

Schottky Diodes & Rectifiers