Taiwan Semiconductor MBRS20150CTHRNG

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SOIC

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Driver Configuration

Half-Bridge

Logic voltage-VIL, VIH

--

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

Package Description

R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MBRS20150CTHRNG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

台湾半导体

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Forward Voltage-Max (VF)

1.23 V

Risk Rank

5.14

操作温度

-40°C ~ 125°C (TJ)

系列

--

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

应用

EFFICIENCY

附加功能

低功率损耗

HTS代码

8541.10.00.80

技术

SCHOTTKY

电压 - 供电

6.8 V ~ 13.2 V

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

基本部件号

ISL6615

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS

二极管类型

接收电极

箱体转运

CATHODE

输入类型

Non-Inverting

输出电流-最大值

10 A

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

150 V

JEDEC-95代码

TO-263AB

上升/下降时间(Typ)

13ns, 10ns

最大非代表Pk前进电流

150 A

信道型

Synchronous

驱动器数量

2

反向电流-最大值

100 µA

闸门类型

N-Channel MOSFET

峰值输出电流（源极，漏极）

2.5A, 4A

高压侧电压-最大值(自举)

36V