Taiwan Semiconductor TPC817C
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TPC817C
2436-TPC817C
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VCEO=80V IF=50m CTR: 200~400% DC Input Phototransistor
1最小包装量--
TPC817C详情
Taiwan Semiconductor TPC817C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
NRND (Last Updated: 2 years ago)
Package
Bulk
厂商
EDAC Inc.
Product Status
活跃
Breakdown Voltage / V
51 V
Reverse Stand-off Voltage
24 V
Manufacturer Lifecycle Status
NRND (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Non-Compliant
Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR
系列
*
包装
DIP-4
通道数量
2
电压
Input VR - 6V
功率耗散
200 mW
最大反向漏电电流
1 µA
箝位电压
70.1 V
峰值脉冲电流
21.4 A
峰值脉冲功率
1.5 kW
测试电流
2.5 mA
漏源电压 (Vdss)
-60 V
正向电压
1 V
齐纳电压
75 V
反向恢复时间
50 ns
最大重复反向电压(Vrrm)
250 V
栅极至源极电压(Vgs)
-1.5 V
输入电容
436 pF
最大击穿电压
9.8 V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
2.5 A
最大结点温度(Tj)
150 °C
最小击穿电压
25.4 V
TPC817C拓展信息







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