Taiwan Semiconductor TS13003HVCTA3

底架

通孔

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

1.96 W

频率

4 MHz

极性

NPN

功率耗散

1.96 W

集电极发射器电压(VCEO)

530 V

最大集电极电流

1.5 A

最高频率

4 MHz

集电极基极电压(VCBO)

900 V

发射极基极电压 (VEBO)

10 V

宽度

3.7 mm

高度

4.7 mm

长度

4.7 mm

辐射硬化

无