Taiwan Semiconductor TSD2150ACY

生命周期状态

NRND (Last Updated: 2 years ago)

Breakdown Voltage / V

51 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

hFEMin

200

Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Manufacturer Lifecycle Status

NRND (Last Updated: 2 years ago)

Reverse Stand-off Voltage

24 V

RoHS

Compliant

包装

SOT-89

极性

NPN

通道数量

2

电压

VCEO - 50V

功率耗散

200 mW

最大反向漏电电流

1 µA

箝位电压

70.1 V

峰值脉冲电流

21.4 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

测试电流

2.5 mA

漏源电压 (Vdss)

-60 V

正向电压

1 V

齐纳电压

75 V

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

反向恢复时间

50 ns

最大重复反向电压(Vrrm)

250 V

栅极至源极电压(Vgs)

-1.5 V

输入电容

436 pF

最大击穿电压

9.8 V

集电极基极电压(VCBO)

80 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

最大正向浪涌电流（Ifsm）

2.5 A

最大结点温度（Tj）

150 °C

连续集电极电流

3 A

最小击穿电压

25.4 V