Taiwan Semiconductor TSM10N60CI
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TSM10N60CI
2436-TSM10N60CI
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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600V 10A Single N-Channel Power MOSFET
1最小包装量--
TSM10N60CI详情
Taiwan Semiconductor TSM10N60CI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Obsolete (Last Updated: 3 years ago)
Breakdown Voltage / V
51 V
Manufacturer Lifecycle Status
OBSOLETE (Last Updated: 3 years ago)
Reverse Stand-off Voltage
24 V
通道数量
2
功率耗散
200 mW
最大反向漏电电流
1 µA
箝位电压
70.1 V
峰值脉冲电流
21.4 A
峰值脉冲功率
1.5 kW
测试电流
2.5 mA
漏源电压 (Vdss)
600 V
正向电压
1 V
齐纳电压
75 V
反向恢复时间
50 ns
最大重复反向电压(Vrrm)
250 V
栅极至源极电压(Vgs)
3.5 V
输入电容
1.738 nF
最大击穿电压
9.8 V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
2.5 A
最大结点温度(Tj)
150 °C
最小击穿电压
25.4 V
TSM10N60CI拓展信息
Globaltech Semiconductor Co Ltd
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
Semiconductors Ltd
Taiwan Semiconductor
Semiconductor Technology Inc
UPI Semiconductor Corp
Semiconductors Inc
Taiwan Semiconductor
Will Semiconductor Ltd







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