Taiwan Semiconductor TSM3N100CP
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TSM3N100CP
2436-TSM3N100CP
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1000V 2.5A Single N-Channel Power MOSFET
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TSM3N100CP详情
Taiwan Semiconductor TSM3N100CP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
Breakdown Voltage / V
51 V
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
Reverse Stand-off Voltage
24 V
通道数量
2
功率耗散
200 mW
最大反向漏电电流
1 µA
箝位电压
70.1 V
峰值脉冲电流
21.4 A
峰值脉冲功率
1.5 kW
测试电流
2.5 mA
漏源电压 (Vdss)
1 kV
正向电压
1 V
齐纳电压
75 V
反向恢复时间
50 ns
最大重复反向电压(Vrrm)
250 V
栅极至源极电压(Vgs)
4.5 V
输入电容
664 pF
最大击穿电压
9.8 V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
2.5 A
最大结点温度(Tj)
150 °C
最小击穿电压
25.4 V
TSM3N100CP拓展信息







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