Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C8V2 RYG
- 收藏
- 对比
BZY55C8V2 RYG
2436-BZY55C8V2 RYG
二极管 - 齐纳 - 单
0805 (2012 Metric)
大陆
立即发货

DIODE ZENER 8.2V 500MW 0805
1最小包装量--
BZY55C8V2 RYG详情
Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C8V2 RYG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
0805 (2012 Metric)
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
0.5W
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
容差
±5%
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
DUAL
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-R2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
100nA @ 6.2V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5V @ 10mA
功率 - 最大
500mW
阻抗-最大
7Ohm
参考电压
8.2V
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
8.2V
最大电压允差
2%
工作测试电流
5mA
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BZY55C8V2 RYG拓展信息
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor







哦! 它是空的。