Taiwan Semiconductor Corporation TSM4946DCS RLG

工厂交货时间

20 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A Ta

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Digi-Reel®

已出版

2010

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

HTS代码

8541.29.00.95

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

2.4W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

55m Ω @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

910pF @ 24V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.055Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

DS 击穿电压-最小值

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant