Tamura CMT01N60N251

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

CMT01N60N251

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

CHAMPION MICROELECTRONIC CORP

Package Description

GRID ARRAY, R-PSIP-T3

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

1 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

网格排列

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-251

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1 A

漏极-源极导通最大电阻

8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

50 W