2SJ357详情
TDK 2SJ357重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2SJ357
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Risk Rank
5.33
Drain Current-Max (ID)
3 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
防静电
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-F3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3 A
漏极-源极导通最大电阻
0.35 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2 W
2SJ357拓展信息
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
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