TDK B43514E9108M007

安装类型

表面贴装

包装/外壳

176-LQFP

表面安装

NO

端子形状

SNAP-IN

越来越多的功能

通孔安装

供应商器件包装

176-TQFP (24x24)

介电材料

ALUMINUM (WET)

终端数量

2

Package

Tray

Base Product Number

CY7C0851

厂商

Infineon Technologies

Product Status

Obsolete

Memory Types

Volatile

Package Description

,

Operating Temperature-Min

-40 °C

Operating Temperature-Max

105 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

B43514E9108M007

Package Shape

圆柱形封装

Manufacturer

TDK Epcos

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

EPCOS AG

Risk Rank

5.84

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电容量

1000 µF

包装方式

BULK

技术

SRAM - Dual Port, Synchronous

电压 - 供电

3.135V ~ 3.465V

Reach合规守则

compliant

电容式

铝电解电容器

极性

POLARIZED

额定(DC)电压(URdc)

400 V

泄漏电流

2.50759 mA

纹波电流

3600 mA

内存大小

2Mbit

时钟频率

133 MHz

正容差

20%

负公差

20%

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

-

等效串联电阻

130 mΩ

组织的记忆

64K x 36