C2012CH1H562JT详情
TDK C2012CH1H562JT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
端子形状
WRAPAROUND
越来越多的功能
SURFACE MOUNT
介电材料
Ceramic
终端数量
2
Voltage Rating (DC)
50 V
RoHS
Non-Compliant
Package Description
CHIP
Package Style
SMT
Operating Temperature-Min
-25 °C
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
C2012CH1H562JT
Package Shape
矩形包装
Manufacturer
TDK Corporation of America
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TDK CORP
Risk Rank
5.55
容差
5 %
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
温度系数
60ppm/Cel ppm/°C
端子表面处理
Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
HTS代码
8532.24.00.20
电容量
5.6 nF
包装方式
TR
Reach合规守则
compliant
箱码(公制)
2012
电容式
陶瓷电容器
温度特性代码
CH
多层
有
额定(DC)电压(URdc)
50 V
尺寸代码
0805
正容差
5%
负公差
5%
宽度
1.25 mm
长度
2 mm
高度
0.85 mm
C2012CH1H562JT拓展信息
TDK
TDK
TDK
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TDK
TDK
TDK
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