TE Connectivity 04N60H-H-HF

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

4 A

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Manufacturer

Advanced Power Electronics Corp

Manufacturer Part Number

AP04N60H-H-HF

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Part Life Cycle Code

接触制造商

Part Package Code

TO-252

Risk Rank

5.66

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

漏极-源极导通最大电阻

2.8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

15 A

DS 击穿电压-最小值

700 V

雪崩能量等级（Eas）

8 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR