TE Connectivity 254897

包装/外壳

TO-3PN-3

安装类型

通孔

材料 - 绝缘

Polybutylene Terephthalate (PBT), Glass Filled

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Typical Turn-On Delay Time

185 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Pd - Power Dissipation

417 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

0.162260 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

30

Mounting Styles

通孔

Forward Transconductance - Min

40 S

Channel Mode

Enhancement

Manufacturer

onsemi

Brand

onsemi / Fairchild

Qg - Gate Charge

270 nC

Tradename

SuperFET

Rds On - Drain-Source Resistance

70 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

520 ns

Id - Continuous Drain Current

47 A

Package

Bulk

Base Product Number

-

厂商

TE Connectivity Erni

Product Status

活跃

系列

FCA47N60

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 125°C

终端

Solder

连接器类型

Receptacle, Female Sockets

类型

N-Channel MOSFET

定位的数量

96

行数

3

子类别

MOSFETs

额定电流

-

螺距

0.100 (2.54mm)

技术

Si

样式

C

已加载定位数量

All

触点表面处理

Gold

配置

Single

通道数量

1 Channel

上升时间

210 ns

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

级别，类别

1

特征

-

产品类别

MOSFET

宽度

5 mm

高度

20.1 mm

长度

16.2 mm

触点表面处理厚度

-

材料可燃性等级

UL94 V-0