TE Connectivity 59C11/SN

底架

通孔

表面安装

YES

终端数量

8

Voltage, Rating

10 V

RoHS

Compliant

Package Description

0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words Code

64

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

SOP8,.25

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

59C11/SN

Clock Frequency-Max (fCLK)

1 MHz

Number of Words

64 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

SOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microchip Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROCHIP TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.7

Part Package Code

SOIC

容差

20 %

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终端

Snap in

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION > 40 YEARS

HTS代码

8542.32.00.51

电容量

15 mF

子类别

EEPROMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

螺纹距离

10.0076 mm

ESR（等效串联电阻）

38 mΩ

极性

Polar

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

纹波电流

3.78 A

寿命（小时）

5000 hours

阻抗

30 mΩ

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.004 mA

组织结构

64X16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.75 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.0001 A

记忆密度

1024 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

4-WIRE

耐力

1000000 Write/Erase Cycles

写入周期时间 - 最大值

15 ms

数据保持时间

200

写入保护

SOFTWARE

备用内存宽度

8

高度

40 mm

直径

25 mm

座位高度(最大)

42.0116 mm

宽度

3.9 mm

长度

4.9 mm

辐射硬化

无